技术编号:9599135
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明本发明申请是申请日为2010年5月7日、申请号为201010174770.X、发明名称为“”的发明申请的分案申请。本发明涉及一种,特别涉及一种具有元件隔离构造宽度不同的浅槽隔离结构的。背景技术为了将形成在半导体衬底上的各个元件进行电气绝缘,在半导体衬底上形成有用以对元件进行隔离的浅槽隔离结构(STIShallow Trench Isolat1n),并将氧化膜等绝缘膜填埋在所述浅槽隔离结构中。随着图案的微细化和高密度化的发展,对在将绝缘膜填埋入所述浅...
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