技术编号:9599245
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明自对准工艺制备的半导体功率器件以及更加可靠的电接触本案是分案申请原案发明名称自对准工艺制备的半导体功率器件以及更加可靠的电接触原案申请号201110152215.1 原案申请日2011年5月25日。本发明主要涉及半导体功率器件的结构和制备方法。更确切地说,本发明是关于通过自对准工艺制备半导体功率器件的器件结构和制备方法,通过在隐藏式沟槽中的硅化工艺实现,以减少所需的掩膜数量,进一步改善功率器件接线端的电触点。背景技术在半导体工艺中,尽管功率金属氧...
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