技术编号:9599360
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 存储器是信息产业中重要的组成部件之一,如何发展新型的低成本、高密度、速度 快、长寿命的非易失存储器一直是信息产业研究的重要方向。 目前常用的非易失存储器包括相变存储器以及磁存储器。相变存储器是一种非磁 性存储器,其在存储过程中,利用相变材料的非晶态(高阻态)和晶态(低阻态)两种状态间 阻值的变化进行数据存储。相变存储器虽然能提供比传统DRAM更高的可扩展性,却存在写 次数有限、读写性能不对称等问题。而且由于改变相变存储器状态需要的延时和能量都比 较高,使...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。