技术编号:9607453
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 作为现有的上述的,已知有使聚光点对准具备Si基板的 板状的加工对象物的内部并照射激光,沿着加工对象物的切断预定线,在Si基板上形成作 为切断的起点的改质区域(例如参照专利文献1)。 专利文献1 日本特开2004-343008号公报发明内容 发明所要解决的问题 然而,针对具备GaAs基板的板状的加工对象物,期待可使切断的可靠性进一步提 高的改质区域的形成技术。 因此,本发明有鉴于上述的问题,其目的在于,提供一种对于具备GaAs基板的板 状的加工对象物、能够...
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