技术编号:9612092
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利说明含括膜的等离子体増强周期化学气相沉积 阳OOU 本申请是申请日为2008年2月27日,申请号为200810088179. 5,发明名称为"含 娃膜的等离子体增强周期化学气相沉积"的发明专利申请的分案申请。 相关申请的相互引用 本申请要求于2007年2月27日提交的美国临时专利申请No. 60/903, 734的优先 权。 发明背景 阳0化]电子器件制造业已经把氮化娃、碳氮化娃和氧氮化娃的化学气相沉积(CVD)、 周期化学气相沉积(CCVD)或原子层...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。