技术编号:9617235
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。绝缘体上硅(SOI)技术对于高性能薄膜晶体管、太阳能电池等等而言的重要性日益增加。SOI晶片由绝缘材料上的基本为单晶硅的薄层(通常小于一微米)构成。获得这种晶片的多种结构和多种方式是已知的。通常,所使用的结构是由键合到另一硅晶片上的硅薄膜形成的,在硅薄膜和硅晶片之间存在氧化物绝缘层。由于其厚度非常的高,特别是与其他部件相比更是如此,因此这种结构的成本的主要部分是支撑被薄硅层覆盖的氧化物层的硅衬底的成本。因此,为了降低SOI结构的成本,已经尝试了使用由比硅便...
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