技术编号:9617273
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。通常,在半导体器件的制造工序中,使用对晶片等衬底进行成膜处理等工艺处理的衬底处理装置。作为衬底处理装置,随着衬底的大型化、工艺处理的高精度化等,每次处理一片衬底的单片式装置逐渐普及。在单片式装置中,为了提高气体的使用效率,是例如从衬底处理面的上方供给气体,从衬底的侧方将气体排气的结构。设置有用于在从侧方排气时使排气均匀的缓冲室。在上述的排气缓冲室被供给残留气体等,存在由于该残留气体而在缓冲室的壁附着膜的隐患。这样的膜在处理室中逆向生长,可能会对衬底的膜特性...
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