技术编号：9617526
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电力半导体器件，具体涉及一种圆形分组布局的压接式功率器件封装。背景技术压接式功率器件，如压接式IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，被广泛用于工业、信息、新能源、交通等领域，因为其具有双面散热能力，高功率密度和可靠性，易于串联，且具有失效短路模式，也被广泛应用于智能电网等高压大功率电力系统领域。温度对功率器件性能的影响至关重要，高温不仅会影响器件的电学特性，更会严重影响其疲劳寿命。在功率器件运行过程中温度会影响芯片内部的热应力，这可能导致芯片的热损坏，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。