技术编号:9617581
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关一种异质接面双极性晶体管(Heterojunct1n BipolarTransistor ;HBT),尤其是在由N型至少包含Te及/或Se掺杂形成的次集极层上形成以至少包含IV族原子为掺杂杂质的II1-V族半导体的阻隔层结构。背景技术异质接面双极性晶体管(Heterojunct1nBipolar Transistor ;HBT)是一种双极性晶体管,藉由射极及基极使用不同的半导体材料形成异质接面,使得异质接面双极性晶体管比一般的双极性晶体管具有更...
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