技术编号:9617590
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。硅基芯片经历几十年发展,Si基CMOS器件尺寸不断缩小,其频率性能却不断提高,当特征尺寸达到25nm时,其fT可达490GHz。但Si材料的Johnson优值仅为0.5THzV,而尺寸的缩小使Si基CMOS器件的击穿电压远小于IV,这极大地限制了硅基芯片在超高速数字领域的应用。近年来,人们不断地寻找Si材料的替代品,由于宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有超高的Johnson优值(可达到5THzV),其器件沟道尺寸达到10nm量级时,击穿电压仍能保持在10...
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