技术编号:9617591
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着半导体元件尺寸的缩小,维持小尺寸半导体元件的效能是目前业界的主要目标。然而,随着场效晶体管(field effect transistors, FETs)元件尺寸持续地缩小,平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。非平面(non-planar)式场效晶体管元件,例如鳍状场效晶体管(fin field effect transistor, Fin FET)元件,具有立体结构可增加与栅极之间接触面积,进而提升栅极对于通道区域的控制...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。