技术编号:9617633
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种η面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管,属于发光二极管。背景技术上世纪50年代,以GaAs为代表的III _ V族半导体在半导体发光领域迅速崛起。之后随着金属氧化物化学气相沉积(M0CVD)技术的出现,使得高质量的II1-V族半导体的生长突破了技术势垒,各种波长的半导体发光二极管器件相继涌入市场。由于半导体发光二极管相对于目前的发光器件具有理论效率高、寿命长、抗力学冲击等特质,在世界范围内被看作新一代照明器件。但是由于II1-V族半导体...
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