技术编号:9628388
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 在半导体行业中,随着器件和特征尺寸不断变小,并且随着三维器件结构(例如, 英特尔公司的三栅极晶体管架构)在集成电路(IC)设计中变得越来越普遍,沉积薄的保形 膜(具有均匀厚度的与下伏结构的形状相对应的材料膜,即使下伏结构不平坦也如此)的 能力将继续得到重视。原子层沉积(ALD)是非常适合于沉积保形膜的一种膜形成技术,原 因在于以下事实单个循环ALD仅沉积单一的薄的材料层,其厚度受限于在成膜的化学反 应本身之前可吸附到衬底表面上的一种或多种膜前体反应物的量...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。