技术编号：9632503
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。如日本特开2010 - 56470号公报所记载那样，随着半导体器件的电路图案的进一步的精细化，对于构成半导体器件的各种膜，也要求其进一步的薄膜化和均匀化。作为能够应对这样的要求的成膜方法，公知有所谓的分子层成膜法(MLDMolecular LayerDeposit1n、也称作原子层成膜法(ALDAtomic Layer deposit1n)，在该分子层成膜法中，通过向基板供给第1反应气体并使第1反应气体吸附在基板的表面上，接着向基板供给供给第2反应气体并使...
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