技术编号:9632660
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着IT技术的发展,各个领域对高性能电力半导体元件的需求都在增加。其中绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率M0SFET的高速开关性能与双极性器件(BJT)的大电流驱动能力、低正向电压降和优秀的正向传导性能于一体,具有耐高压、承受电流大等优点,在各种电力变换中获得极广泛的应用。如图1所示,现有技术的绝缘栅双极型晶体管的下端是集电极,上端是发射极和栅极,由N...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。