技术编号:9632664
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 GaN基材料作为第S代半导体材料,由于其突出的材料特性,已成为现代国际上研 究的热点。GaN材料特有的异质结极化效应W及GaN材料的高电子饱和速度,使得GaN基 HEMT器件成为良好的微波功率器件。而随着无线通信市场的快速发展W及传统军事应用的 持续发展,微波器件在人类生活及工作的许多方面扮演着重要的角色。 GaN基HEMT器件的常规结构如图1所示,包括衬底1'、衬底r上自下而上依次为 GaN缓冲层3'和势垒层5',在所述势垒层5'上为源漏电极7'和栅电...
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