技术编号:9632702
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。宽禁带II1-V族半导体材料的迅猛发展使得高亮度发光二极管实现了绿光到近紫外产品的商业化。但目前商业化的LED大部分仍采用蓝宝石衬底作为基板,因蓝宝石与氮化物的晶格常数差异较大,外延层中的位错密度仍然高于~107,如此高的位错密度严重阻碍了器件内量子效率的进一步提升。低温缓冲层的好坏是氮化物外延层中位错密度多寡的决定因素,目前商业化的方法是在M0CVD生长过程中先在400~600°C生长低温缓冲层,然后升温到900~1100°C生长三维或者准二维层氮化物后...
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