技术编号：9632728
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。关于热释电传感器的制作，现有工艺是将红外晶体灵敏元薄片，通过精细研磨减薄至20?30 μ，然后再利用腐蚀的方法，将晶片减薄至10 μ左右(相当于头发丝的1/8)，取出后在显微镜下，放入特制的镀膜模具中，正反面镀膜，再镀金黑，这样要反复打开真空室，反复移动10 μ的晶片，反复对准镀膜模具；这一繁杂的过程造成晶片的成品率大幅度降低、光敏面的有效面积不能保证，以致影响到电参数。10 μ的晶片在镀好上下电极和金黑之后，再用胶粘在特定的陶瓷衬底上，这一工艺过程难度很...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。