技术编号:9632735
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。阻变存储器(RRAM)通常由简单三明治结构(电极/存储介质/电极)构成,通过施加电信号,改变存储材料的电阻状态,从而实现双稳态的存储功能。在相同体积中,保存更多数据是存储产业不断追求的目标,也是其始终存在的根源。缩小存储器的物理尺寸,以便获得高存储密度是提高存储量的可行手段之一。这将使得在同一空间中存储单元的数量急剧提高,从而导致单位体积中的焦耳热骤增。在三维集成的发展趋势中,这一效应将会更加显著,极不利于存储性能的稳定。因此,控制并降低工作电流,以便降低...
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