技术编号：9635253
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 在存储器应用中，典型的固态存储器件（动态随机存取存储器值RAM)、静态随机 存取存储器（SRAM)、可擦除可编程只读存储器巧PROM)、W及电可擦除可编程只读存储器 巧EPROM))对于各存储位（memorybit)采用微电子电路元件。对于典型的非易失性存储元 件（例如邸PR0M，即，"闪速"存储器），采用浮栅场效应晶体管作为数据储存器件。运些器 件将电荷保持在场效晶体管的栅极上W储存各存储位，且具有受限的可再编程性。此外，它 们编程起来是慢的。 在半导...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。