技术编号:9642599
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。以氮化镓(GaN)为代表的III族氮化物已经成为一种重要的半导体材料。以GaN做成的发光二极管(LED),已经成为“半导体照明”的主要发展方向。M0CVD是目前生产GaN-LED的唯一方法。从产能、产品质量等综合考虑,水平式M0CVD设备是以后主流方向。然而,水平式M0CVD设备也有它的缺点,就是反应室“天棚”(国外叫“Ceiling”)也会沉积,而且这些沉积物还会卷皮、脱落、影响外延生产。本发明就是为解决以上问题的,其核心思想是将反应室的天棚也加热,加热...
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