技术编号：9646040
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。光刻技术的工艺流程一般分为硅片预处理、涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、刻蚀、去胶和套刻等，是一个较为复杂的过程，各工艺环节相互影响又相互制约。其中，曝光是一个非常重要的工艺环节，指的是用特定波长和强度的光波透过掩膜，有选择地照射光刻胶，使受照射部分的光刻胶发生光化学反应，经显影后获得与掩膜上相应的图形。曝光剂量是光照强度与曝光时间的乘积，表示光刻胶表面获取的曝光能量，由于光刻胶上产生一个良好的图形，需要一定的曝光剂量(阈值)，当曝光时间过短，曝光剂量低于阈值...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。