技术编号:9647686
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在制造超结型MOSFET (Super-Junct1n-Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)时,目前的一种做法是,如图1至图14所示,在N型外延层上刻蚀出深沟槽,然后在深沟槽中生长P型外延层,再把深沟槽外的P型外延层回刻/磨掉,再进行浅沟槽的刻蚀、栅氧化层的生长,多晶硅栅极的制作等。但是,由于浅槽位于两个深槽之间,因而受光刻对准程度影响较大,同时,深槽和浅槽的两次光刻使得元胞密度受光刻⑶影响,...
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