技术编号：9647892
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。存储器的发展追求高速度，高集成密度，高数据保持力，低功耗等。在存储器结构的研究中，二极管阵列器件及其高密度阻变存储器是目前比较关心的部分，目前用于存储器的驱动器件的研制与开发主要集中在NM0SFET，三极管和二极管以及在此基础上的一些新的器件结构，M0SFET作为一种主流的半导体器件，由于其成熟的工艺技术和相对较低的成本以及为维持其庞大的45nmCM0S单元库的可使用性，大多企业采用标准的M0SFET+相变电阻(1T1R)的结构，如此，为获得足够大的驱动电...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。