技术编号：9649876
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 本发明提供了一种。背景技术多晶娃(polycrystallinesilicon)(简称多晶娃(polysilicon))作为原材料借助于i甘祸拉伸(Czochralski或CZ方法)或借助于区域恪炼(浮区(区恪，float zone)或FZ方法)生产单晶硅。该单晶硅被分成晶片并且在大量的机械、化学和化学-机械加工操作之后，用于制造电子元件(芯片)的半导体工业。然而，更具体地，更大程度地要求多晶硅借助于拉伸或铸造方法生产单晶硅或多晶硅，该单晶硅或多晶硅用于...
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