技术编号:9650027
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 氧化铝、氧化硅等金属氧化物被用于半导体装置、光学薄膜等用途。期望将金属氧 化物以所需膜厚形成于所需位置,若能够更简便地进行薄膜的形成,则关系到低成本高产 量。 专利文献1中公开了一种成膜方法,其具有在基板的成膜面上,形成对于成膜材 料的粒子示出高亲和性的高亲和性区域和与所述亲和性区域相比示出低亲和性的低亲和 性区域的工序;在与所述基板之间,使用具备电子捕捉部的溅射装置,使所述成膜材料的粒 子飞向所述成膜面,使所述成膜材料选择性地堆积在所述高亲和性区域的工...
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