技术编号:9650260
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及MoS2。背景技术过渡金属硫族化合物具有与石墨的层状结构类似的层状结构。特别地,MoS2作为能够代替石墨烯的用于晶体管的半导体活性层和作为能够代替铂的析氢反应催化剂正引起关注。此外,MoS2正被研究用作锂离子电池的电极材料,因为其具有使得能够容易地嵌入和取出裡离子的层状结构。本体MoS2单晶具有不同于石墨烯的1.3eV的间接带隙,和具有在室温下50至200cm2/Vs的优异迀移率。由于当厚度降低至单原子层的尺度时本体此52单晶具有1.8eV的直接...
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