技术编号:9650271
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着用于制造半导体器件的硅晶片的直径变大,大多数硅晶片是由通过提拉法(czochralski (CZ)method)生长的单晶锭进行制造的。在提拉法中,将多晶硅插入到石英坩祸中进行加热,并通过使用石墨加热器进行熔化多晶娃,然后,晶种接触硅熔体以引起在硅熔体的界面上结晶。此后,缓慢拉动晶种并同时旋转,以生长具有所需直径的硅单晶锭。然而,当在石英坩祸中熔化多晶硅并生长单晶时,石墨坩祸的上部和下部可以暴露到外部。因此,由于坩祸具有高热导率,大量的热可穿过石墨坩祸...
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