技术编号:9650706
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。通过在M0S晶体管的一个极性的源极/漏极区域中生长外延半导体材料可形成集成电路。由电介质材料的硬掩模可将所述经外延生长的材料与M0S晶体管的相反极性隔离。在不损坏或消耗底层的情况下,在外延生长之前图案化所述硬掩模且在外延生长之后移除所述硬掩模可能是成问题的。维持晶体管的源极/漏极区域中的外延半导体材料之间的所需的间距一致性也可能是成问题的。发明内容在所描述的实例中,集成电路经形成以包含具有第一极性的第一 M0S晶体管,及具有第二(相反)极性的第二 M0S晶...
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