技术编号：9658932
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。二氧化锡作为一种具有直接带隙的半导体材料，其本征禁带宽度达到3.60eV，同时具有透光性好、导电性好的特点，被广泛应用于发光二极管、光伏电池、气体传感器、透明导电涂层、催化剂、锂离子电池等的制造中。在不同的领域，二氧化锡的晶粒尺寸都直接影响到其物理和化学性能在气体传感器中，对不同气体的检测灵敏度都与二氧化锡晶粒尺寸直接相关，晶粒越小则比表面积越尚，灵敏度越尚;在光伏电池中，将一■氧化锡的尺寸控制到量子点级别(<5nm)，利用量子限域效应能进一步提高半...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。