技术编号:9661946
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。随着第一代硅半导体及第二代砷化镓半导体材料发展日趋成熟,其器件应用也趋于极限。现代科技越来越多的领域需要工作频率高,功率密度高,耐高温,化学稳定性好以及可以在强辐射环境中工作的材料,因此第三代半导体(即宽禁带半导体,禁带宽度大于2.2eV)受到了人们的极大关注,这些材料包括碳化硅,氮化铝,氮化镓,氧化锌,金刚石等等,其中技术最为成熟的就是碳化硅。碳化硅为间接带隙半导体,其带隙3.0ev,热导率和击穿电场高,化学稳定性好,抗高辐射等等。目前生长碳化娃晶体最有...
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