技术编号:9665210
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。TaN(氮化钽)材料具有优良的压变特性,同时具有极高的高温稳定性(熔点在3000°C左右)、较低的电阻温度系数,优良的硬度和耐磨性,可作为传感器广泛地用于压力、温度、应力、热流等方面。由于上述的特点,该TaN材料制成的传输线具有应变效应,具体地,该TaN传输线的电阻值会随着压力变化而显著变化,即产生压电信号,传输线电阻的显著变化导致传输电流的变化,GaN作为宽禁带半导体的典型代表,具有工作温度高、功率输出密度大、高频性能好、抗辐射能力强等优点。与传统的Ga...
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