技术编号：9665761
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。近年来，随着光子集成技术的迅猛发展，光子器件的尺寸正在逐渐减小，成本低廉、技术成熟的CMOS工艺被广泛应用到光子器件的设计及制作领域。利用高折射率差的材料如绝缘层上硅，可极大地提高片上光器件的集成度。同时为应对当前光互连容量和带宽迅速增加的需求，偏振复用技术已被广泛用于长距离光通信网络、极大的提高了光通信容量，但是在片上系统中，偏振复用技术及其与其它技术的融合还需进一步研究。偏振复用及解复用器作为偏振复用系统中的关键部件，在提高系统传输容量方面具有重要的意...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。