技术编号：9666194
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。变频器的主要发热部位在功率器件部分，对四象限变频器的整流和逆变部分、二象限变频器的逆变部分，目前主流变频器均采用IGBT模块，IGBT作为电压型控制器件，具有输入阻抗高、开关损耗小、通断速度快、工作频率高、功率容量大等优点。一般情况下流过IGBT的电流都比较大，开关频率较高，其损耗也比较大，如果变频器柜内散热结构设计不合理，功率器件产生的热量不能及时散掉，将使器件的结温超过其设计最大值，导致IGBT损坏，这就需要在变频器装配完成以后，测试IGBT模块的热性...
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