技术编号：9669061
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 一般铜锋锡硫（化2化SnS4,简称CZTS)薄膜太阳能电池结构为介质/底电极/吸 收层（CZTS) /缓冲层/透明导电层/上电极，其中缓冲层主要用来降低透明导电层与吸收 层之间的能带不连续现象，一般会使用高透光率，电阻率在5.0~120Q.cm的材料。现在的 太阳能电池主要是使用CdS作为缓冲层，但CdS是一种有毒性的材料，不适合持续发展，故 需要发展一种无毒、环保的材料来代替。硫化铜（InzSs)是一种无毒、禁带宽度在2. 0~3. 7eV 的半导体材...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。