技术编号:9669087
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及显示,尤其涉及一种薄膜晶体管及制作方法、阵列基板和显示装置。背景技术与非晶娃薄膜晶体管(a-Si Thin Film Transistor,TFT)相比,低温多晶娃薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon Thin Film Transistor, LTPS TFT)技术具备诸多优点,如迀移率很高,可达10-100cm2/Vs左右,同时可以在较低温条件下制备(例如,低于600°C ),基底选择灵活,制备成本较低等。低温...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。