技术编号:9669091
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体薄膜晶体管制备,涉及一种基于绿色环保水溶胶的薄膜晶体管的制备方法,特别是一种以水性超薄氧化锆(Zr02)为高k介电层,以η型氧化铟(Ιη203)和ρ型氧化镍(N1)为半导体沟道层的薄膜晶体管的制备方法。背景技术近年来,薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)在有源矩阵驱动液晶显示器件(Active Matrix Liquid Crystal Display,AMIXD)中发挥了重要作用,从低温非晶娃TFT到高温多晶硅T...
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