技术编号:9669167
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。射频互补金属氧化物(RFCM0S)绝缘体上硅(SOI)RF功率开关是目前市场上实际上对每一个移动手机所必需的器件。用来制造这些器件的现有RFCMOS SOI技术在日益复杂的多掷RF开关、可调RF电容阵列和天线RF调谐器中提供了优异的性能。传统的RFCMOS SOI技术建立在高电阻率CMOS衬底上,该高电阻率CMOS衬底具有范围为从10000hm-cm到50000hm-cm的电阻率。使用RFCMOS SOI技术的功率开关使用高电阻率衬底,使得多个相对低电压场...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。