技术编号:9669187
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,属于半导体封装。背景技术近年来,随着电子产品对功率密度不断的追求,无论是D1de (二级管)还是Transistor (三极管)的封装,尤其是Transistor中的M0S产品正朝着更大功率、更小尺寸、更快速、散热更好的趋势在发展。封装的一次性制造方式也由单颗封装技术慢慢朝向小区域甚至更大区域的高密度高难度低成本一次性封装技术冲刺与挑战。因此,也对M0S产品的封装在寄生的电阻、电容、电感等的各种电性能、封装的结构、封装的热消散性能力、封装的信赖...
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