技术编号:9669330
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。现有技术薄膜LED芯片结构如图1所示。这种芯片一般采用晶圆键合和衬底转移技术,让P面朝下键合到另一个衬底上,剥离生长衬底使N面朝上。P型欧姆接触通常采用高反射率的金属,P型半导体整面均和P金属接触。而N型金属则设计为一些电极线,电流通过N型半导体表面的电极线往N型半导体传输。电极线的设计存在两个重要缺陷首先,从PN结发出的光射到电极线上容易被吸收,影响出光效率;其次,这些相连的电极线会造成电流在N型半导体中的分布不对称,越靠近电极线附近的区域其电流密度越大...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。