技术编号:9669332
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 本发明的设及第III族氮化物半导体发光装置及其制造方法。更具体 地,本发明设及表现出对金属迁移的抑制的第III族氮化物半导体发光装置及其制造方 法。背景技术 在第III族氮化物半导体发光装置中,P电极或n电极由金属形成。金属包括例 如引起迁移的Ag或A1。迁移指W下现象当向金属材料施加电场时,金属材料中所含的金 属原子移动到表面或其他材料如绝缘构件的内部。因此,已开发了抑制金属迁移的技术。 日本专利特许公开(特开)No. 2006-24750公开了具有n...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。