技术编号：9673151
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 实际应用中的离子注入，例如半导体和光电产品的生产，设及在衬底例如晶片中 纳入注入物质，所述注入物质通过碰撞衬底上纳入物质的能量离子而纳入衬底中。为了产 生离子注入物质，对含有渗杂物质的渗杂组合物离子化。所述离子化使用离子源W产生离 子束而进行。 阳〇化]离子束一旦在离子源处产生，便经过提取、磁过滤、加速/减速、磁分析器处理、准 直、扫描和磁力校正的处理，从而产生最终离子束，所述最终离子束撞击述衬底上。 已开发了各类离子源，包括电感加热（in化Ctivel...
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