技术编号:9673171
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是适于在大功率应用中使用的一种类型的晶体管。一般地,功率MOSFET器件具有垂直结构,其中,源极和栅极触点位于通过在衬底上形成的漂移层与漏极触点分离的MOSFET器件的第一表面上。垂直MOSFET有时称为垂直扩散的MOSFET (VDM0SFET)或双扩散的MOSFET (DM0SFET)。由于其垂直结构,功率MOSFET的额定电压是漂移层的掺杂和厚度的函数。相应地,高电压功率MOSFET可以用相对小的占用面...
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