技术编号：9680450
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 稀土离子掺杂的G0S(化学式Gd202S)陶瓷闪烁体相对于传统的Csl、CdW04等闪烁 单晶同时兼具密度高、光产额高、化学性质稳定，制备工艺相对简单、加工时无解理等优点， 成为了X射线CT、高速X射线扫描仪物品安检仪等辐射检查仪器或探测器理想的、综合性能 最为优异的闪烁体材料。掺杂Pr和/或Ce离子的G0S闪烁陶瓷具有极低的余辉，成为CT 辐射探测器的理想闪烁体。G0S闪烁陶瓷的研究始于二十世纪80年代，1988年由Toshiba的专利US475242...
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