技术编号:96822
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件及集成电路制造技术,是一种在绝缘衬底上双面同时进行硅单晶外延生长,从而一次实现“单晶硅/绝缘衬底/单晶硅”结构的化学气相淀积工艺。目前实现“单晶硅/绝缘材料/单晶硅”结构可用于集成电路CMOS/SOI等制造,它可缩小尺寸,提高集成度;寄生电容小,器件速度高和易于器件隔离,因此它是一种开拓形式的材料结构。完成这种材料结构当前采用化学气相淀积(CVD)法和激光回熔再结晶法。现在采用化学气相淀积法只实现了在硅衬底上生长MgO·Al2O3,然后再生长淀积单晶硅的“单晶硅/绝缘材料/单晶硅”结构。但该工艺...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。