技术编号：9685625
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是涉及一种形成样品堆栈结构的方法及样品堆栈结构，特别涉及一种利用背侧蚀刻(backside milling)以及切割(dicing)工艺而形成样品堆桟结构的方法，以及由所述方法形成的样品堆桟结构，借此可避免帘幕效应(curtain effect)的干扰。所述样品堆栈结构具有目标层，所述目标层是通过黏着层而结合至垫片。背景技术随着组件的尺寸不断地朝微型化发展，穿透式电子显微镜(transmiss1nelectron microscopy, TEM)在集...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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