技术编号:9688773
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。 近年来人们利用磁性隧道结(MTJ,Ma即etic化nnel化nction)的特性做成磁性 随机存储器,即为MRAM(Ma即etic Random Access Memoir)。MRAM是一种新型固态非易失 性记忆体,它有着高速读写的特性。铁磁性MTJ通常为Ξ明治结构,其中有磁性记忆层,它 可W改变磁化方向W记录不同的数据;位于中间的绝缘的隧道势垒层;磁性参考层,位于 隧道势垒层的另一侧,它的磁化方向是不变的。当磁性记忆层与磁性参考层之间的磁化强 度矢量方...
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