技术编号:9688777
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别涉及一种SRAM存储单元及存储阵列。背景技术静态随机存储器(Static Random Access Memory,以下简称SRAM)具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容的优点,其广泛应用于PC、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。最常见的SRAM存储单元为6T单元,如图1所示,所述SRAM存储单元包括第一PM0S晶体管ML0、第二 PM0S晶体管ML1、第一 NM0S晶体管ΜΡΝ0、第二 NM0S晶体管MP...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。