技术编号:9689109
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。在半导体器件制备工艺中,器件元件的特征尺寸越来越小,因此,相应的半导体加工工艺的要求也越来越高。在超大规模集成电路中,经常需要在器件的表面制备一层薄膜,而现有技术中的很多类型的薄膜都是采用CVD方法制备,其主要的工艺步骤为把含有构成薄膜离子的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在器件表面发生化学反应生成薄膜。利用CVD工艺沉积的薄膜层由于具有良好的致密性而具有多种用途,例如在CMOS器件制备中,可利用CVD工艺沉积一层氮化硅层来作为刻...
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