钨电极的形成方法技术资料下载

技术编号:9689142

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本发明涉及半导体制造领域,尤其是涉及一种。背景技术 随着集成电路(简称1C)制造技术的飞速发展,传统集成电路的工艺节点逐渐减 小,集成电路器件的尺寸不断缩小,在一片晶圆上,半导体元件的数量不断增加,为此集成 电路制备工艺不断革新以提高集成电路器件的性能。 如为了满足半导体元件数量增多的要求,在一片晶圆上往往包括多层结构的半导 体元件,而相邻层的半导体元件通过金属互连结构实现电连接,从而在特定面积的芯片上 增加半导体元件数量,提高半导体器件的集成度。 参考...
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